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飞兆Dual Cool封装可提升DC-DC电源应用的功率密度和性能

关键词:飞兆Dual电源应用半导体电源管理

时间:2013-01-09 08:30:27      来源:中电网

飞兆半导体的Dual Cool封装,可提升DC-DC电源应用的功率密度和性能。优化后的中压MOSFET的结至环境热阻要比原来小四倍。

飞兆半导体的Dual Cool封装,可提升DC-DC电源应用的功率密度和性能。优化后的中压MOSFET的结至环境热阻要比原来小四倍。

DC-DC转换应用的设计人员正面临提升功率密度的同时节省电路板空间和降低热阻的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)全新的中压PowerTrench MOSFET采用Dual Cool封装技术,非常适合解决这些设计难题。


飞兆半导体已扩展和改进了其采用Dual Cool封装的产品组合,这种封装属于业界标准引脚排列封装,带有顶侧冷却,适用的产品中包括40-100V中压产品系列。硅技术的进步结合Dual Cool技术,可提供卓越的开关性能以及低结至环境热阻,其数值比标准5mm x 6mm MLP塑封封装低四倍。


中压系列产品包括:40V FDMS8320LDC、60V FDMS86500DC、80V FDMS86300DC和100V FDMS86101DC。这些器件属于同步整流MOSFET,适用于DC-DC转换器、通信电源次级端整流和高端服务器/工作站应用。


飞兆Dual Cool封装可提升DC-DC电源应用的功率密度和性能

 

特色及优势:

FDMS8320LDC (40V)

最大RDS(ON) = 1.1mΩ(当VGS = 10V,ID = 44A时)

最大RDS(ON) = 1.5mΩ(当VGS = 4.5V,ID = 37A时)


FDMS86500DC (60V)

最大RDS(ON) = 2.3mΩ(当VGS = 10V,ID = 29A时)

最大RDS(ON) = 3.3mΩ(当VGS = 8V,ID = 24A时)


FDMS86300DC (80V)

最大RDS(ON) = 3.1mΩ(当VGS = 10V,ID = 24A时)

最大RDS(ON) = 4.0mΩ(当VGS = 8V,ID = 21A时)

具有业内最低的RDS(ON),在额定电压相同的条件下,与竞争对手的解决方案相比该数值低35%左右

 

FDMS86101DC (100V)

最大RDS(ON) = 7.5mΩ(当VGS = 10V,ID = 14.5A时)

最大RDS(ON) = 12mΩ(当VGS = 6V,ID = 11.5A时)

 

采用Dual Cool封装的MOSFET属于飞兆半导体业界领先的MOSFET产品组合。空间受限型应用要求DC-DC电源的尺寸更小、电流更高,基于对这一需求的理解,飞兆半导体可量身定制独特的结合了功能、工艺和创新封装技术的解决方案,从而使您的电子设计与众不同。

 

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