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[原创]UltraCMOS Global 1可重构射频前端将促成单一平台设计

关键词:射频前端 LTE 射频开关

时间:2014-05-05 14:34:25       作者:记者:韩霜       来源:世界电子元器件

LTE设备市场的迅速增长对射频前端的性能提出了前所未有的要求。为了满足40个以上频段和运行状态数目可能增加5000倍以上的需要,产业界现在需要可重新配置、可调谐的射频前端。Peregrine半导体公司首个可重构射频前端UltraCMOS Global1产品将满足在LTE市场的这一新需求。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件,UltraCMOS Global 1是单一平台的设计,能够在全球各个地区运作。该系统包括首款LTE CMOS功率放大器(PA),其性能可与砷化镓(GaAs)技术功率放大器持平。此外,UltraCMOS Global 1功率放大器提供宽频带功放通道,支持中国的TDD-LTE技术网络。

UltraCMOS Global 1可重构系统

UltraCMOS Global 1是一种易于使用的数字控制射频前端,适用于一切模式和频段,隔离性能好,解决了互操作问题。它可以扩展,轻而易举地支持更多的频段,而且开关损耗小,可调谐。UltraCMOS 10采用先进的CMOS工艺,它利用射频SOI基片,比起同类的解决方案,在性能方面提高了50%。UltraCMOS Global 1就是在这个技术平台上制造而成的。

UltraCMOS Global 1在一块芯片上把Peregrine半导体的射频开关和调谐器紧密无间地与CMOS功率放大器集成在一起,包含:

• 3路MMMB功率放大器,置于功放之后的开关,天 线开关和天线调谐器;

• 支持包络跟踪;

• 通用射频前端MIPI接口。

UltraCMOS Global 1对于整个无线生态系统是有利的。平台提供商和原始设备制造商(OEM)可以建立一个单一的平台设计,面向全球市场,从而加快产品上市时间。消费者可以得到更长的电池寿命,更好的接收效果,更快的数据传输速率和更广阔的漫游范围。最后,使用性能改进了的射频前端,可以扩大覆盖范围并减少掉线,无线运营商可以降低他们在网络上的资本投入。

据悉,UltraCMOS Global 1射频前端系统的平台整合将在2014年完成,将在2015年后期投入大批量生产。

UltraCMOS Global 1性能优势

UltraCMOS Global 1采用LTE CMOS功率放大器,它的性能与砷化镓功率放大器相同。在相邻信道泄漏比(ACLR)为-38dBc的情况下,使用WCDMA(语音)波形,UltraCMOS Global 1功放的PAE(功率附加效率)性能接近50%。这个性能与领先的GaAs功放的性能在同一个水平,将效率提高了33%。此外,对于LTE波形,在不同资源块分配的情况下,UltraCMOS Global 1功放的PAE性能与GaAs功放相当。达到这个水平性能,并不需要增强包络跟踪,也不需要数字预失真,在CMOS功放与砷化镓功放进行性能对比测试时,往往加强包络跟踪,并使用数字预失真。

“Peregrine半导体公司的UltraCMOS Global 1功放在市场上掀起了轩然大波,它将加速功放前端市场从砷化镓技术过渡到CMOS功率放大器。”Strategy Analytics公司射频和无线元件总监Christopher Taylor说。“在2014年世界移动通信大会上进行的演示中,在所有功率电平上,Peregrine半导体的UltraCMOS Global 1功率放大器与具有领先优势的砷化镓功放显然不相伯仲,在此基础上,由于CMOS的集成能力,Peregrine半导体的功放具有更强的灵活性。”

支持TDD-LTE网络

在中国,近期得到牌照的TDD-LTE网络已经在2.3GHz至2.7GHz频率范围增加了对频带的要求。UltraCMOSGlobal 1功放提供宽频带功放的通路,支持这个频率范围。

“Peregrine致力为大中华地区市场服务。”Peregrine半导体公司行政总监Jim Cable说。“为了更好地为我们的客户服务,我们在最近扩大了我们在中国的办事处,包括设立新的实验室设施以及其他技术资源。今天,我们推出UltraCMOS Global 1射频前端(RFFE)解决方案,以满足TDD-LTE网络的需要。”

  

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图1 UltraCMOS Global 1在一块芯片上集成了多模式、多频带功率放大器,以及置于功放之后的开关,天线开关和天线调谐器等。

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图2 UltraCMOS Global 1功率放大器(PA)性能与GaAs功放的性能不分伯仲。
 

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