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Fairchild公司发布面向新一代太阳能逆变器、工业电机控制和焊机的1200V SiC二极管

关键词:1200V碳化硅(SiC)二极管 FFSH40120ADN 硅基二极管

时间:2016-03-21 14:53:05      来源:中电网

全球领先的高性能半导体解决方案供应商Fairchild发布其首款1200V碳化硅(SiC)二极管 - FFSH40120ADN。1200V二极管集出色的开关性能、更高的可靠性和低电磁干扰(EMI)于一身,是那些越来越需要提高能效和功率密度的新一代太阳能逆变器、工业电机控制和焊机的理想之选。

全球领先的高性能半导体解决方案供应商Fairchild发布其首款1200V碳化硅(SiC)二极管 - FFSH40120ADN。1200V二极管集出色的开关性能、更高的可靠性和低电磁干扰(EMI)于一身,是那些越来越需要提高能效和功率密度的新一代太阳能逆变器、工业电机控制和焊机的理想之选。

Fairchild公司大功率工业产品事业部总经理Jin Zhao说:“市场趋势和紧缩的行业标准共同推动了对更节能高效的产品的需求,新型1200V SiC二极管专门设计来帮助制造商满足这些不断提高的效率要求,提高可靠性、耐用性和成本效益。该二极管基于碳化硅,因为相较于硅,碳化硅具有相当大的优势,所以我们会不断增加基于碳化硅的半导体产品数量,从而提供全套SiC解决方案。”

FFSH40120ADN二极管具有同类产品中最好的漏电流性能,在高达175℃的温度下,其漏电流远低于同类产品。1200V SiC二极管的主要优势包括超快速开关和无反向恢复电流,从而大大降低了开关损耗(相比于硅),实现了优异的能源效率。更快的开关速度还允许制造商缩小产品电磁线圈和相关无源元件的尺寸,从而提高封装效率,降低系统重量,削减物料清单(BOM)成本。

该二极管能够在很宽的温度范围内稳定切换,这有助于实现出色的性能,并且它的零恢复电压消除了电压过冲。

由于碳化硅的热性能优于硅,所以FFSH40120ADN二极管的耐用性和可靠性也远高于同等的硅基二极管。SiC的击穿电场比硅高10倍以上,SiC的热导率也比它高3倍。

Fairchild将在3月20~24日于美国加州长滩召开的APEC会议上演示新型1200V SiC二极管的性能(1717号展台)。如需申请样片和了解新型1200V SiC二极管的详情,请访问FFSH40120ADN产品文件夹。
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