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超越CMOS,英特尔探索逻辑器件的未来

关键词:MESO器件存储器

时间:2018-12-06 10:10:13       来源:中电网

12月3日,《自然》杂志发表了一篇有关下一代逻辑器件的研究论文,作者包括英特尔、加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员。这篇论文描述了一种由英特尔发明的磁电自旋轨道(MESO)逻辑器件。相较于目前的互补金属氧化物半导体(CMOS),MESO器件结合超低休眠状态功率,有望把电压降低5倍、能耗降低10-30倍。在探求不断微缩CMOS的同时,英特尔一直在研究超越CMOS时代的未来十年即将出现的计算逻辑选项,推动计算能效提升,并跨越不同的计算架构促进性能增长。

超越CMOS,英特尔探索逻辑器件的未来
超越CMOS,英特尔探索逻辑器件的未来

英特尔资深院士兼技术与制造事业部探索性集成电路组总监Ian Young表示,“我们正在研究超越CMOS时代的计算方案,寻求革命性而不是演进性的突破。MESO以低压互连和低压磁电为基础,将量子材料创新与计算结合在一起。我们对已经取得的进展感到非常兴奋,并期待着发挥其潜力,未来做出进一步降低翻转电压的演示。”

英特尔研究人员发明的MESO器件,考虑到了未来计算所需的关于存储器、互连线和逻辑的要求。英特尔已经做出了该MESO器件的原型,采用的是在室温下呈现新兴量子行为的量子材料,以及由Ramamoorthy Ramesh开发的磁电材料(Ramamoorthy Ramesh就任于加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室)。MESO还利用了由Albert Fert描述的自旋轨道超导效应(Spin-orbit transduction effects,Albert Fert就任于法国国家科学研究院/泰雷兹集团联合物理研究组)。

英特尔功能电子集成与制造科技中心主任、资深科学家Sasikanth Manipatruni表示:“MESO器件基于室温量子材料开发。它展现了该技术的可能性,并有望在业界、学术界和各国家实验室中引发新一轮创新。而这种新型计算器件和架构所需的许多关键材料和技术,还需要进行更多开发。”

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