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市场规模逾2900亿,2019年中国功率半导体市场持续成长

关键词:功率分立器件市场电源管理IC

时间:2019-03-08 10:28:17      来源:集邦咨询

全球市场研究机构集邦咨询TrendForce在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。

全球市场研究机构集邦咨询TrendForce在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年同比增长8%。


2015~2019年中国功率半导体市场规模

集邦咨询分析师谢瑞峰指出,功率半导体作为需求驱动型的产业,2019年景气仍然持续向上。虽然仍受到全球贸易不稳定等因素影响,但在需求驱动下,受影响程度要小于其他IC产品。集邦咨询预估,2019年中国功率半导体市场规模将达到2,907亿元人民币,较2018年成长12.17%,维持双位数的成长表现。

受益于国产替代的政策推动和缺货涨价的状况,2018年多家中国本土功率半导体厂商取得亮眼的成绩,并扩大布局。其中,比亚迪微电子凭借拥有终端的优势,在车用IGBT市场快速崛起,取得中国车用IGBT市场超过两成的市占率,一跃成为中国销售额前三的IGBT供应商;MOSFET厂商华微电子和扬杰科技营收大增,并且逐渐导入IGBT市场。

另外,新建与规划中的IGBT产线有士兰微厦门12寸特色工艺产线、华润微电子在重庆建设的12寸特色工艺产线,以及积塔半导体专业汽车级IGBT产线等。同时,多家厂商也投入研发SiC等新材料技术领域,基本半导体的SiC MOSFET已进入量产上市,而定位为代工的三安光电SiC产线也已开始接单、比亚迪微电子也已研发成功SiC MOSFET,其目标是到2023年实现SiC MOSFET对硅基IGBT的全面替代。

展望2019年,从终端需求来看,新能源汽车仍然为中国功率半导体市场最大需求来源,根据集邦咨询资料显示,2019年中国新能源车产量预估为150万辆,较前一年成长45%,其ADAS系统、电控以及充电桩的需求将带动功率分立器件市场规模约270亿元。同时,5G建设所需的基站设备及其普及后带来物联网、云计算的快速发展,将对功率半导体产生长期大量需求,另外,工业自动化规划持续推进,与之相关的电源、控制、驱动电路将持续推升中国功率半导体的采购。

从供应端来看,2019年虽然有3-5条功率产线将进入量产,但根据集邦咨询预计,2019年前三季度功率分立器件产品缺货情况恐难有明显好转,多家厂商的产品价格预期仍将上涨。从厂商的技术发展来看,SiC MOSFET有望进一步提高在车用领域对硅基IGBT的替代率,硅基IGBT则有望向更低功耗、更高效率的方向继续发展。

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