村田旗下pSemi CEO在2019国际RF－SOI论坛分享RF－SOI设计创新

在今天举行的2019国际RF-SOI论坛上，Murata company（日本村田）旗下子公司pSemi™ Corporation（曾用名Peregrine Semiconductor，以下简称pSemi）的CEOJim Cable分享了pSemi™ 在过去30余年RF-SOI上的设计创新。

pSemi 前身是Peregrine Semiconductor，被村田收购后更名为pSemi ，在过去30多年里，pSemi创下许多业界‘第一’，包括 CMOS 开关、SOI 功率放大器和 mmWave 波束成形等，pSemi围绕绝缘体上硅（SOI）在射频开关和天线调谐器领域进行了大量颠覆性创新，目前的产品组合涵盖电源管理，连接传感器，光收发器，天线调谐，功率放大器和集成RF前端等。

三十多年前，pSemi开创了UltraCMOS技术，取代GaAs PHEMT成为手机开关的首选工艺。每一代UltraCMOS都改进了Ron*Coff品质因数，这是RF开关的关键性能指标。降低Ron可降低插入损耗，降低Coff可在开关关闭时改善开关隔离性能。2017年1月推出的UltraCMOS 12的RonCoff达到了80 fs。

在2019年国际微波研讨会期间，pSemi宣布推出UltraCMOS13，这是其在GlobalFoundries的300毫米晶圆厂上开发的下一代专有RFSOI工艺。 UltraCMOS 13专为改善低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA）性能而量身定制，可提高集成前端组件的性能。UltraCMOS 13保持了上一代的RonCoff和Fmax性能，同时降低了LNA的NFmin，降低了PA的FET漏电流，增加了开关的功率处理能力，并优化了对片内1.2 V模拟和数字电路功能的支持。

UltraCMOS 13最初的目标是低于6 GHz的5G NR LNA，PA，交换机和集成前端等。在今天的论坛上，Jim Cable回顾了pSemi的发展历史并分享了pSemi在RF-SOI领域的创新。

他分析了为什么CMOS工艺在射频前端赢得竞争？这就是集成的优势

FET可以实现堆叠可以应对更高级别的射频功率，而SOI衬底助力创新

这是pSemi的核心技术

这个技术从发明到现在已经占据绝对主导

UltraCMOS技术也是执业界牛耳，获得的专利很多，别看p Semi公司不大但是技术专利在业界位居前十，超越skyworks,TI，英飞凌等大牌公司

未来，发展成多通道全集成设计前端？牛啊，现在已经出样了8通道毫米波射频前端产品。