“GaN Systems和安森美半导体宣布，采用GaN Systems的650 V，30 A GaN E-HEMT和安森美半导体的NCP51820高速栅极驱动器，共同组成了一套高速半桥GaN系统评估板。该套件采用25mm x 25mm的布局，减少了元件数量。
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GaN Systems和安森美半导体宣布，采用GaN Systems的650 V，30 A GaN E-HEMT和安森美半导体的NCP51820高速栅极驱动器，共同组成了一套高速半桥GaN系统评估板。该套件采用25mm x 25mm的布局，减少了元件数量。 其特性包括1+ MHz工作频率和200 V / ns CMTI额定值。基于GaN的电源系统的优势包括功率损耗，重量，尺寸（最多80％）和系统成本（最多可节省60％BOM成本）的显着降低。
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