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埃赋隆推出“突破性” Si LDMOS器件,在VHF和UHF应用中效率达到80%

关键词:Si LDMOS器件射频功率放大器 晶体管

时间:2020-07-03 09:39:24      来源:中电网

埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布,在其第9代高性能50V Si LDMOS高效率射频功率晶体管产品系列中新增两款产品——BLF978P和BLF974P。这两款产品专为超高功率射频功率放大器而设计,可提供数百千瓦功率,并具有很高的效率和高增益特性。

BLF978P – 1200W Si LDMOS和BLF974P – 500W Si LDMOS

荷兰奈梅亨,2020年7月02日 - 埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布,在其第9代高性能50V Si LDMOS高效率射频功率晶体管产品系列中新增两款产品——BLF978P和BLF974P。这两款产品专为超高功率射频功率放大器而设计,可提供数百千瓦功率,并具有很高的效率和高增益特性。

在AB类工作条件下,这两款功率晶体管在225MHz时均可提供高达80%的工作效率。在千瓦级输出的射频系统中,由于高效热管理的需求是项关键的设计考虑因素,因此能源效率成为一个极其重要的方面。同样,为了提高系统的可靠性并提供节能、节省成本的射频性能,工业和科学应用也将热设计视为一项关键要素而优先考虑。

晶体管的高功率和高增益可简化放大器的比例缩放,使其轻松达到工业和科学应用所需的高功率水平。1,200W BLF978P和500W BLP974P通常可在225MHz至700MHz的频率范围内提供25dB的功率增益。

欲了解有关埃赋隆最新的50V Si LDMOS射频功率晶体管的更多信息,请点击此处:BLF978P、BLF974P,以及有关的视频,请访问www.ampleon.com/amplify。

BLF978P和BLF974P可直接从埃赋隆或从授权分销商RFMW和得捷电子(Digi-Key)进行购买。

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