全球首发中芯国际N＋1工艺芯片 芯动科技再立新功

中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技（INNOSILICON）发布：已完成了全球首个基于中芯国际FinFET  N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。

芯动科技持续聚焦全球先进工艺芯片IP和定制，拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术，多次在先进工艺上填补国内空白，核心技术支持了全球客户数十亿颗高端SOC量产。

自2019年始，芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下，团队全程攻坚克难，投入数千万元设计优化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。

芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产IP生态共建的合作，为大量国内和全球客户实现从成熟工艺（55nm、40nm、28nm、22nm等)到先进工艺（如FinFET 14nm、12nm、7nm等）的不断跨越，在各先进工艺中规模IP授权和定制批量生产高端SOC，包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先进技术规模量产，连续多年获得中芯国际“最佳IP合作伙伴”奖。

如今，芯动科技基于国产N+1新工艺的率先里程碑NTO流片验证成功，为国产半导体生态链再立新功。