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重庆万国造出自研自产 IGBT 元件,预计今年内实现量产

关键词:IGBT重庆万国

时间:2022-08-12 13:37:32      来源:互联网

据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司 (以下简称“重庆万国”) 已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。

据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司 (以下简称“重庆万国”) 已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。 (IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极型晶体管)

 

据悉,重庆万国在今年年初启动 IGBT 元件项目研发,该元件具有饱和压降低,开关损耗小,电流短路能力强等特点,可用于消费电器与工业电器的动能转换。

重庆万国市场资深经理李仁果介绍,在过去 12 个月的出货量中,重庆万国做到每 10 亿颗芯片中,不良率只有 3 颗。

目前,重庆万国已启动上市计划,并已引入京东方等行业头部企业或专业投资机构作为战略投资人。下一步,重庆万国将进一步加快半导体芯片及半导体芯片封装的设计、制造、销售,不断推出创新产品。

百科知识

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT 是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

IGBT 模块是由 IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与 FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS 不间断电源等设备上。

IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的 IGBT 也指 IGBT 模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见。

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