三星HBM3E终于通过英伟达认证！

据韩国媒体Businesskorea援引业内人士的消息报道称，三星第五代12层堆叠高带宽内存HBM3E产品终于通过了英伟达（Nvidia）的品质认证测试，预计不久后开始向英伟达供应HBM3E芯片，并有望打入英伟达所需的下一代HBM4的供应链。

近年来，随着人工智能（AI）对于训练及推理计算资源需求的持续增长，也带动了AI芯片对于HBM内存的需求。而HBM3E则凭借超过1 TB/s的总线速度，成为英伟达、AMD、Intel最新AI芯片（如NVIDIA H200/B100/B200、AMD MI350X）必备元件，没有HBM3E，这些芯片的算力就无法完全释放。

三星作为全球头部的三大主要DRAM制造商之一，过去一直是全球最大的DRAM厂商，但是却由于在HBM竞争中落后SK海力士，使得其被成功反超。

SK海力士去年9月率先开始量产HBM3E 12层芯片，并成为了英伟达的主力供应商。随后，美光的HBM3E在今年第一季通过英伟达认证，三星虽然已向AMD出货HBM3E 12层芯片，但从去年2月向英伟达提供首批HBM3E 12层芯片样品测试后，一直未能满足英伟达严格的性能要求，就这样拉扯长达18个月。直到近日，韩国多家媒体援引业内人士透露，三星终于正式通过英伟达HBM3E 12层芯片质量认证测试，将成第三家向英伟达提供HBM3E 12层产品的公司。

不过HBM通常会提前1年预订，而SK海力士、美光今年配额已全数售罄，脚步晚了1年半的三星预计短期供货量有限，表现结果有待观察。但通过英伟达认证，代表终于结束长期卡关局面，并拿到下一代HBM入场券，缩小与SK海力士、美光在第六代高带宽存储器HBM4竞争的差距，甚至某些技术指标可能出现反超。

HBM4预计在英伟达新一代图形架构Vera Rubin首度亮相，英伟达要求供应商将HBM4的数据传输速度提升至每秒10 Gbps以上，消息人士透露三星已展示11 Gbps传输速度，超越SK海力士的10 Gbps，美光则未达英伟达要求。三星打算本月向英伟达大量出货 HBM4 样品，盼早日获得英伟达认证。