首页 > 新闻 > 意法半导体650V高频IGBT利用最新高速开关技术提升应用性能

意法半导体650V高频IGBT利用最新高速开关技术提升应用性能

时间：2019-04-30 14:35:28 来源：意法半导体

意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止（TFS）技术，可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的汽车级产品。

新HB2系列属于STPOWER™产品家族，更低(1.55V)的V_CEsat饱和电压确保导通性能极其出色；更低的栅极电荷使其能够在低栅极电流条件下快速开关，提高动态开关性能；出色的热性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，同时新系列还是市场上极具竞争力的产品。

HB2系列IGBT提供三个内部二极管选项：全额定二极管、半额定二极管或防止意外反向偏置的保护二极管，从而为开发者提供更多的自由设计权，根据特定应用需求优化动态性能。

新650V器件的首款产品40A STGWA40HP65FB2现已上市，采用TO-247长引脚封装。

声明：本网站原创内容，如需转载，请注明出处；本网站转载的内容（文章、图片、视频）等资料版权归原网站所有。如我们采用了您不宜公开的文章或图片，未能及时和您确认，避免给双方造成不必要的经济损失，请电邮联系我们，以便迅速采取适当处理措施；欢迎投稿，邮箱：editors@eccn.com。

分享到：

[上一篇：] 安森美半导体基于SiC的混合IGBT和隔离型大电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出

[下一篇：] 特励达达而视将携业界一流的CMOS X射线探测器亮相CMEF 2019