“根据外媒Tom"s Hardware的报道， GlobalFoundries (格罗方德)本周宣布，已经使用其12nm FinFET工艺成功制成了高性能的3D Arm芯片。
”根据外媒Tom"s Hardware的报道， GlobalFoundries (格罗方德)本周宣布，已经使用其12nm FinFET工艺成功制成了高性能的3D Arm芯片。
格罗方德表示：“这些高密度的3D芯片将为计算应用，如AI/ML(人工智能和机器学习)以及高端消费级移动和无线解决方案，带来新的性能和能源效率。”
据报道，格罗方德和Arm这两家公司已经验证了3D设计测试(DFT)方法，使用的是格罗方德的混合晶圆对晶圆键合。这项技术每平方毫米可支持多达100万个3D连接，使其具有高度可扩展性，并有望为12nm 3D芯片提供更长的使用寿命。
对于3D封装技术，英特尔去年宣布了其对3D芯片堆叠的研究，AMD也谈到了在其芯片上叠加3D DRAM和SRAM的方案。
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