中国电子技术网

设为首页 网站地图 加入收藏

 
 

日本开发6G芯片:单载波速度高达100Gbps

关键词:6G芯片磷化锢5G

时间:2019-12-31 14:34:53      来源:网络

5G才刚刚开始商用,6G早已经启动,不少国家、机构、企业都开始了6G的预研工作。

5G才刚刚开始商用,6G早已经启动,不少国家、机构、企业都开始了6G的预研工作。

近日,日本NTT集团旗下的设备技术实验室成功研发出一款6G超高速芯片,采用磷化锢(InP)化合物,并在300GHz超高频段进行了无线传输实验,使用16QAM调制时,获得了100Gbps的超高速度,相当于10万兆有线网络。

更令人惊叹的是,这一高速只使用了一个载波,如果再辅以多载波聚合,以及MIMO、OAM等空间复用技术,或者未来研发出新的相关技术,组合之下速度更是不可限量,预计至少能达到400Gpbs,也就是如今5G速度的至少40倍。

当然了,28GHz毫米波就面临传输距离、损耗的严峻考验,300GHz超高频需要克服的困难必然更多,而且注定只适合短距离高速传输。

在此之前,美国加州大学Irvine分校的NCIC实验室也开发了一款超越5G的收发器芯片,55nm SiGe BiCMOS工艺制造,面积2.5×3.5毫米,工作在115-135GHz频段,成功实现了36Gbps的无线传输速度,但距离只有30厘米。

至于6G到底会是什么样子,谁都没数,目前所做的都是探索各种可能性。

  • 分享到:

 

猜你喜欢

  • 主 题:安森美数字助听芯片的创新
  • 时 间:2024.05.09
  • 公 司:安森美

  • 主 题:IO-Link 技术介绍及相关设计解决方案
  • 时 间:2024.05.22
  • 公 司:ADI & Arrow