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新思科技扩展DesignWare MIPI IP产品组合 推出适用于FinFET工艺的硅验证集成C-PHY/D-PHY IP解决方案

关键词:新思科技FinFET工艺

时间:2020-04-09 09:31:21      来源:中电网

新思科技今天宣布,该公司正在扩展其MIPI相机和显示器IP产品组合,推出适用于多种FinFET工艺的DesignWare® MIPI C-PHY℠/D-PHY℠ IP。硅验证C-PHY/D-PHY IP符合MIPI C-PHY v1.2和D-PHY v2.1规范,带来针对高分辨率成像和显示器SoC的低风险解决方案。

-DesignWare PHY和控制器以高达24 Gb/s的速度运行,用于高性能成像和汽车SoC

摘要:

DesignWare MIPI C-PHY/D-PHY IP与新思科技的MIPI CSI-2、DSI/DSI-2、D-PHY和验证IP可进行互操作,带来完整的相机和显示器IP解决方案

C-PHY/D-PHY以24 Gb/s的速度运行,提供低于1.3pJ/bit的功耗,能够在高分辨率成像设备中实现最佳能耗

DesignWare DSI/DSI-2和CSI-2控制器支持16位和32位PHY协议接口(PPI),实现高吞吐量C-PHY/D-PHY连接

C-PHY/D-PHY IP和ASIL B Ready ISO 26262认证MIPI控制器可满足汽车应用的安全性和可靠性要求

新思科技(Synopsys, Inc.,纳斯达克股票代码:SNPS)今天宣布,该公司正在扩展其MIPI相机和显示器IP产品组合,推出适用于多种FinFET工艺的DesignWare® MIPI C-PHY/D-PHY IP。硅验证C-PHY/D-PHY IP符合MIPI C-PHY v1.2和D-PHY v2.1规范,带来针对高分辨率成像和显示器SoC的低风险解决方案。此外,C-PHY/D-PHY可满足汽车ADAS和信息娱乐应用严格的功能安全性和可靠性要求。DesignWare MIPI C-PHY/D-PHY IP与DesignWare MIPI DSI/DSI-2和MIPI CSI-2控制器相结合,提供了一个完整的解决方案,简化了与各种先进图像传感器和显示器的连接。

奥比中光联合创始人兼研发副总裁梅小露表示:“对于我们的最新款智能计算3D相机,新思科技的DesignWare MIPI IP带来了所需的低功耗、较小的硅足迹和实时连接。我们在两周内集成了该IP并一次完成硅晶设计,同时实现了我们的设计目标。我们将延续与新思科技的成功合作,并且考虑在未来的设计中使用新思科技的DesignWare C-PHY/D-PHY IP。”

DesignWare C-PHY/D-PHY通过支持低功率状态模式并以24 Gb/s的速度提供低于1.3pJ/bit的功耗来满足能量要求。该IP支持4K及以上显示器和1亿像素相机,在D-PHY配置中支持每通道4.5 Gb/s的最大速度,在C-PHY配置中支持每trio(3线)3.5 Gs/s的速度。为了提高系统测试和调试效率,该IP提供全面的内置测试功能,包括模式发生器、逻辑分析仪和覆盖所有电路的环回模式。高性能、低功耗的DesignWare MIPI C-PHY/D-PHY IP与新思科技的MIPI DSI/DSI-2和CSI-2控制器可进行互操作,支持最新MIPI显示器和相机规格的主要功能,包括更宽的PHY协议接口(PPI)、多个虚拟通道、高级原始数据类型和显示命令集。

MIPI Alliance董事长Joel Huloux表示:“作为在多个MIPI工作组发挥领导作用的董事会成员,新思科技继续帮助推动MIPI接口的开发和采用。用于先进FinFET工艺的MIPI C-PHY/D-PHY IP的推出再次证明了新思科技致力于提供让设计人员可以整合进SoC的MIPI IP。”

新思科技IP营销与战略高级副总裁John Koeter表示:“MIPI C-PHY/D-PHY IP在采用先进图像传感器和显示器的移动和汽车应用中提供极其快速的连接。经过硅验证的C-PHY/D-PHY IP扩展了新思科技广泛的MIPI IP产品组合,使设计人员能够以较小的风险在其SoC中部署最新的MIPI接口。”

上市和资源

采用7纳米和12纳米工艺的DesignWare C-PHY/D-PHY IP现已上市。采用16纳米、6纳米和5纳米工艺的PHY定于2020年第三季度上市。DesignWare CSI-2、DSI/DSI-2和MIPI I3C®控制器以及D-PHY现已上市。

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