纳微半导体GaNFast技术释放OPPO新一代闪充潜力

Navitas Semiconductor 纳微半导体今日宣布，交付基于其GaNFast技术的第500万颗氮化镓功率IC芯片。7月24日，纳微半导体副总裁查莹杰先生，将第500万颗GaNFast氮化镓功率IC芯片，交到了OPPO副总裁、OPPO研究院院长刘畅先生的手中，表明了OPPO对纳微半导体GaNFast技术的肯定，以及新材料对电源领域二次革命的见证。 

OPPO作为快充行业的先行者，一直引领着智能手机的快充市场，最早期的VOOC闪充“充电五分钟，通话两小时”深入人心，演进自SuperVOOC架构的125W 超级闪充更是把手机快充功率提到了史无前例的高度。技术创新无止境，现阶段OPPO最新一代的轻便型快充产品，均采用纳微半导体的GaNFast氮化镓功率IC芯片，颠覆了传统市场对轻便型快速充电器的尺寸框架。

OPPO副总裁、OPPO研究院院长刘畅先生表示：“本次与纳微的合作，完美地契合了公司对新产品、新材料、新工艺、新技术不断探索和追求的主旨。我们能感受到纳微半导体的企业远见和卓越技术，也希望通过深入的合作，推动氮化镓化技术的发展，加速第三代宽禁带半导体的产品化。”

纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰先生表示：“非常高兴OPPO作为顶级移动设备制造商开始采用基于GaNFast技术的快速充电器。纳微半导体的GaNFast氮化镓功率IC芯片，是单芯片IC包含GaN场效应晶体管、GaN数字电路和GaN模拟电路，能快速推动新一代高频、高效率、高功率密度电源转换器的设计作商用化。纳微半导体非常有幸为OPPO新一代的闪充技术提供GaNFast氮化镓功率IC芯片，助力OPPO的产品改善用户体验和技术创新。纳微半导体的GaNFast氮化镓功率IC芯片搭载于OPPO的50W 超闪饼干充电器、110W 超闪mini充电器等多款产品和技术平台，呈现全新的产品形态。