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并购、建厂,欧洲双雄ST,NXP强攻射频前端领域

关键词:ST NXP

时间:2020-10-16 11:41:47      来源:互联网

据报道,意法半导体日前宣布,将收购总部位于法国Marly-le-Roy的SOMOS Semiconductor(“ SOMOS”。据意法半导体方面介绍,这是一家成立于2018年的无晶圆厂半导体公司,专门研究基于硅的功率放大器和RF前端模块(FEM)产品。

据报道,意法半导体日前宣布,将收购总部位于法国Marly-le-Roy的SOMOS Semiconductor(“ SOMOS”。据意法半导体方面介绍,这是一家成立于2018年的无晶圆厂半导体公司,专门研究基于硅的功率放大器和RF前端模块(FEM)产品。


意法半导体方面指出,通过此次收购,公司能够引入物联网和5G市场的专业人员、前端模块的IP和路线图。公司第一个产品-NB-IoT / CAT-M1模块-已通过认证,并将成为连接RF FEM产品新路线图的开始,此外,SOMOS的技术和资产还将支持意法半导体现有的5G基础设施RF前端模块路线图的开发。


从SOMOS的官网我们可以看到,该公司能提供业界领先的RF功率放大器,RF前端和RF开关产品,并为4G和5G IoT和智能手机应用提供设计。SOMOS指出,利用其独特的IP和专业知识来实施和交付具有前所未有性能的CMOS功率放大器,具有极低谐波的开关以及业界最小尺寸的RF前端。他们向客户提供最先进的组件和IP,并提供定制设计服务。



无独有偶,在ST推进射频产品线的同时,NXP也在加紧他们在这个领域的布局。

恩智浦启用全新6吋氮化镓晶圆

半导体大厂恩智浦(NXP Semiconductors)宣布正式启用位于美国亚利桑那州钱德勒(Chandler)的6吋射频氮化镓(GaN)晶圆厂,此为美国境内专注于5G射频功率放大器的最先进晶圆厂,现已通过认证,首批产品将持续推出上市,预计至2020年底达到产能满载。


恩智浦透过全新6吋晶圆厂以及其在功率密度、增益和线性化效率方面的20年氮化镓(GaN)开发专业知识,引领5G蜂巢基础建设的扩展,恩智浦预期,该最先进的晶圆厂将成为枢纽,将与同地点的研发团队紧密合作,加速推动创新,且有助于支援5G基站和先进通讯基础设施在工业、航空航太和国防市场的扩展。


恩智浦半导体总裁暨执行长Kurt Sievers在主题演讲中表示,今日象征着恩智浦的重要里程碑。透过在亚利桑那州建立此先进厂房与吸引关键人才,让我们能够更聚焦于发展氮化镓技术,将其作为推动下一代5G基站基础建设的一部分。


随着5G的发展,射频解决方案中每个天线所需的功率密度呈指数级增长,但仍需保持相同的主机壳尺寸,并降低功耗。氮化镓功率电晶体已成为满足这些严格要求的新黄金标准,能够大幅提高功率密度和效率。


恩智浦拥有近20年的氮化镓开发专业知识和广泛的无线通讯产业知识,将使其引领下一波5G蜂巢扩展浪潮。恩智浦已针对氮化镓技术进行深度最佳化,改善半导体中的电子陷阱(electron trapping)问题,藉由一流的线性度提供高效率和增益,致力为恩智浦的客户生产最高品质的氮化镓装置。


恩智浦长期客户爱立信(Ericsson)网路开发部主管Joakim Sorelius表示,在功率放大器在无线电技术中发挥重要的作用,与爱立信近期在美投资类似,很高兴看到恩智浦在半导体制程开发方面进行投资,并将继续致力为未来的高要求无线电网路提升射频系统效能。


恩智浦半导体执行副总裁暨无线电功率业务部总经理Paul Hart表示,恩智浦团队向来致力于建造世界上最先进的射频氮化镓晶圆厂,该晶圆厂的能力可扩展至6G甚至更高。

前景远大的射频生意

ST和NXP之所以一直在加强在RFFE方面的布局,这与这个市场巨大的商机有关。根据Yole Développement(Yole公司)预测,从 2020 年至 2025 年间,射频前端将以保持11%的 CAGR增长,截至 2025 年市场规模将达到 254 亿美元。而其中五家主要公司:村田制作所、思佳讯、博通、Qorvo 和高通占据了市场业务总量的近 80%。由此可以看到ST和NXP的发力背后的诱因。

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