年产内存模组3000万条，深科技旗下合肥沛顿存储一期项目封顶

6月26日上午，合肥沛顿存储科技有限公司（以下简称“合肥沛顿”）一期项目封顶庆典顺利举行，这也预示着合肥沛顿存储芯片封测项目有望在年底前实现投产。

合肥沛顿成立于2020年10月30日，由深科技与国家大基金二期、合肥经开产投、中电聚芯一号共同投资成立，注册资金30.6亿元，主要从事DRAM内存及NAND FLASH闪存芯片封测。根据此前的投资协议，合肥沛顿各方股东已于2020年11月出资40000.00万元，其中深科技首期出资22352.00万元已按约定支付完毕，各方股东将同步进行第二期出资，深科技出资148648.00万元，其中募集资金146165.28万元，自有资金2482.72万元。目前，深科技持股55.8824%，国家大基金二期持股31.0458%，合肥经开产投持股9.8039%，中电聚芯一号持股3.2680%。

按照建设规划，合肥沛顿存储项目将于今年9月底完成全部建设任务，10月初进驻生产设备，力争于今年年底实现投产并形成有效产能。项目达产后，预计可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗，年封装NAND FLASH 3840万颗，年产内存模组3000万条的生产能力，预计可实现年营收28亿元左右。