Nexperia将于2021年9月21日-23日举办“Power Live”

基础半导体器件领域的专家Nexperia，今日宣布将于9月21日至23日举办‘Power Live’，这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功，本届为期三天的活动将扩大规模，涵盖与功率电子元件相关的众多主题，包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管。

会议重点将包括：

l MOSFET全电热模型

Nexperia新款MOSFET电热模型的详细预览，该模型可以在仿真中准确呈现器件的静态和动态特性，并降低在设计过程后期发现EMC问题的风险。

l650VCCPAK贴片封装氮化镓器件评估

行业领先的CCPAK封装氮化镓器件的评估板即将推出，便于使用双脉冲测试评估其特性和优势。

l 功率MOSFET在工业应用中的设计

无论出于什么原因、什么时间需要一路500 A的MOSFET，它都需要能优化关键特性并管理涌入电流和热SOA曲线。

l肖特基整流器、锗化硅整流器或恢复(PN)整流器？

如何通过选择最合适的功率二极管，在LED驱动器或电磁阀驱动器等汽车应用中实现出色的效率和可靠性。

整个议程将包括现场演示，邀请工程师讨论当今使用功率器件进行设计时面临的最大挑战，同时还会展示Nexperia重要合作伙伴的案例研究和贡献。在活动期间，参会者还可以观看Nexperia资深功率专家直接从公司全球实验室为大家带来的最新技术演示。

此次‘Power Live’活动将于9月23日（星期四）结束，由Nexperia和行业专家共同参与的GaN小组讨论将是最后一场活动。这将是一场针对探讨对技术和市场想法及影响的开放式论坛，非常欢迎与会者的倾情贡献。

Nexperia全球营销主管Robby Ferdinandus针对‘Power Live’评论道：“去年我们第一次举办活动时得到了非常棒的反馈。超过700多名工程师注册参加，并且许多人表示能与现场会议中志同道合的伙伴交流，讨论常见的设计挑战，这种体验十分宝贵。”

完整的活动日程现已发布。可以使用注册页面上的表格提交咨询有关GaN小组讨论会的问题。