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集邦:2021 年至 2025 年第三代功率半导体年复合增长率达 48%

关键词:功率半导体

时间:2022-03-11 10:26:42      来源:互联网

集邦咨询发布报告称,目前最具发展潜力的材料是具备高功率及高频率特性的宽带隙(Wide Band Gap,WBG)半导体,包含碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),主要应用多为电动汽车、快充市场。

集邦咨询发布报告称,目前最具发展潜力的材料是具备高功率及高频率特性的宽带隙(Wide Band Gap,WBG)半导体,包含碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),主要应用多为电动汽车、快充市场。

据集邦咨询研究测算,第三代功率半导体产值将从 2021 年的 9.8 亿美元,成长至 2025 年的 47.1 亿美元,年复合增长率达 48%。

报告称,目前在各大衬底供应商的开发下,包括 Wolfspeed、II-VI、Qromis 等厂商陆续扩增产能,并将在 2022 年下半年量产 8 英寸衬底,预计第三代功率半导体未来几年产值仍有增长空间。

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