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Tower 半导体发布其最先进第二代 65nm BCD 电源管理平台

关键词:Tower 半导体65nm BCD电源管理

时间:2022-05-11 10:22:03      来源:互联网

5 月 9 日,Tower 半导体宣布扩展其电源管理平台,发布其最先进的第二代 65nm BCD,将操作范围扩大到 24V,并将 RDSON 降低 20%。

5 月 9 日,Tower 半导体宣布扩展其电源管理平台,发布其最先进的第二代 65nm BCD,将操作范围扩大到 24V,并将 RDSON 降低 20%。该公司还在其 180nm BCD 平台上添加了深沟槽隔离,可将电压高达 125V 的芯片尺寸降低 40%。新版本满足了对更高电压和更高功率 IC 不断增长的需求,进一步增强了 Tower 在功率器件方面的领先市场地位。

 

Tower 的 65 纳米 BCD 平台以其在功率性能、成本和集成竞争力方面的领先优势而被称为一流的 sub-90 纳米 BCD 技术。第二代 65nm BCD 受益于功率性能和芯片尺寸减少多达 20%,这是由于用于高达 16V 的器件的 LDMOS RDSON 减少以及电压扩展到 24V 运行。这些进步满足了计算和消费市场对单片大功率转换器的需求,包括用于 CPU 和 GPU 的高功率电压调节器以及充电器、大功率电机驱动器和功率转换器等应用。

该公司的 180nm BCD 在电压覆盖、隔离方案、功率性能、芯片尺寸和掩模数量方面是业界最宽、一流的平台。180nm BCD 深沟槽隔离方案在单个 IC 内提供了更好的抗噪性,在升高的电压下具有灵活性,可以在多个隔离方案之间进行选择,并将芯片尺寸减少多达 40%。

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