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消息称 SK 海力士正开发基于 238 层 NAND 的 UFS4.0 闪存,有望明年上半年量产

关键词:SK 海力士NAND

时间:2022-08-17 10:05:23      来源:互联网

据外媒 THELEC 今日报道,半导体业界人士透露,SK 海力士计划最早明年上半年量产采用 238 层 NAND(V8)的最新 UFS 4.0 闪存。

据外媒 THELEC 今日报道,半导体业界人士透露,SK 海力士计划最早明年上半年量产采用 238 层 NAND(V8)的最新 UFS 4.0 闪存。

 

根据 SK 海力士制定的 UFS 4.0 内存开发计划,其将在 UFS 4.0 闪存上主要搭载 V7 和 V8 NAND,其中 V8 是 SK 海力士开发的世界上首个 238 层 NAND 闪存,与 176 层 NAND( V7 )相比能源消耗减少了 21%。其采用了 4D 封装技术,与 3D 封装相比,前者在减少单位单元面积的同时,生产效率也更高。

THELEC 还透露了 SK 海力士正在开发的 UFS 4.0 闪存的数据处理速度:连续读取 4000 MB/s,连续写入 2800 MB/s。外形规格为 11×13×0.8mm。仅从速度来看,现在曝光的速度可能只搭载了 V7 NAND。

作为对比,三星在 5 月 4 日首发的 UFS 4.0 的闪存采用的是 176 层 NAND(V7),连续读取 4200 MB/s,连续写入 2800 MB/s,外形规格为 11×13×1mm。

此前有消息称 SK 海力士 238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps,相比前一代产品提高了 50%,现在来看还未应用到 UFS 4.0 中。

 

▲ SK 海力士开发的 238 层 512GB TLC 4D NAND 闪存

据 THELEC 称,目前,SK 海力士已经向主要客户公司供应了 238 层 NAND 样品,计划明年上半年量产,因此,搭载 V8 NAND 的 UFS 4.0 内存也有望最早从明年上半年开始批量生产。

UFS 4.0 闪存是是今年 5 月正式批准的最新标准,其数据传输带宽为 23.2 Gbps,是之前 UFS 3.1 的两倍,带宽越大,数据处理速度就越快。

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