“近日,由忱芯科技(UniSiC)主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开,横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会,围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点,展开讨论。
”近日,由忱芯科技(UniSiC)主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开,横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会,围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点,展开讨论。
值此盛会,泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟,双方将深度整合资源,优势互补,围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作,为客户解决宽禁带半导体测试挑战。
宽禁带功率半导体器件测试,尤其是精准、全面、可靠的器件特性表征,对于器件本身的迭代以及各场景的应用都起着关键作用。SiC MOSFET器件高频开关特性,被形象地称之为“狼的速度”,随之而来,对器件测试系统寄生电感控制、测试带宽、连接方式等都提出了更高的挑战。如何驾驭狼的速度,跨越“测不准”、“测不全”、“不可靠”这三座大山,始终是第三代半导体行业关注的热点。
泰克科技拥有全球独家TIVP光隔离探头,提供了无与伦比的带宽、动态范围、共模抑制以及多功能MMCX连接器的组合。探头电压采样带宽高达1GHz,是传统电压探头带宽5倍以上;共模抑制比高达120dB,比传统探头提升1000倍以上。TIVP光隔离探头能精准捕捉碳化硅器件高速开关时Vgs和Vds的波形细节。
Tektronix 示波器及光隔离探头
结合忱芯科技开发的Edison系列碳化硅功率半导体器件动态特性测试系统,该系统拥有高速、高频、高可靠驱动电路(共模瞬变抗扰度高达100V/ns)、超低回路杂感先进叠层母排(小于10nH)、独家双脉冲参数算法以及高速短路电流保护(<5us),最大限度解决了宽禁带半导体器件的测试难题。
忱芯科技Edison系列碳化硅功率半导体器件动态特性测试系统
值得一提的是,Edison系列产品拥有极强的兼容性,涵盖了碳化硅MOSFET单管及模块产品,同时兼容硅IGBT、MOSFET功率器件的动态测试。
与此同时,考虑到碳化硅器件的爬坡过程,Edison系列产品拥有独具匠心的功能设计,实现了一套系统两种用法,手动模式(杂感小于10nH)适合于研发人员在离线进行极限工况性能摸底;一键切换,可至自动模式(杂感仅增加不到10nH)进行批量测试,测试效率高达300UPH。
顺应第三代半导体迅猛的发展势头,泰克科技与忱芯科技强强联手,精进技术,目前,Edison系列产品已成功导入多家头部IDM企业以及功率器件封装龙头企业。
泰克科技销售总监宋磊先生表示,在国家大的"双碳政策"下,SiC和GaN三代功率半导体势必会蓬勃发展,泰克在几年前就开始投入大量研发资源推出专用的测试仪器及方案,此次和忱芯科技达成战略合作,相信一定可以助力SiC器件及SiC模块新技术在电源行业的更高效的应用,泰克的使命是:”帮忙第三代半导体IDM公司生产出更加可靠的器件,帮助电源工程师更安全更高效地发挥第三代半导体性能。
忱芯科技创始人毛赛君博士表示:“碳化硅替代硅基器件势在必行,只有打通产业链每一环节的技术壁垒,才能最终实现整个产业生态圈的井喷式发展。忱芯科技将持续投入研发资源自主创新,迭代高性能产品,完成宽禁带半导体测试装备的全系列产品线覆盖,助力中国芯征程。”
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