“集邦咨询发布报告称，目前最具发展潜力的材料是具备高功率及高频率特性的宽带隙（Wide Band Gap，WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），主要应用多为电动汽车、快充市场。
”集邦咨询发布报告称，目前最具发展潜力的材料是具备高功率及高频率特性的宽带隙（Wide Band Gap，WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），主要应用多为电动汽车、快充市场。
据集邦咨询研究测算，第三代功率半导体产值将从 2021 年的 9.8 亿美元，成长至 2025 年的 47.1 亿美元，年复合增长率达 48%。
报告称，目前在各大衬底供应商的开发下，包括 Wolfspeed、II-VI、Qromis 等厂商陆续扩增产能，并将在 2022 年下半年量产 8 英寸衬底，预计第三代功率半导体未来几年产值仍有增长空间。
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