SK 海力士开发出 238 层 NAND 闪存芯片，明年上半年量产

时间：2022-08-03 10:04:36 来源：互联网

“韩国 SK 海力士（SK Hynix）已经开发出 238 层 NAND 闪存芯片，它可以用于 PC 存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货 232 层 NAND 闪存芯片。

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韩国 SK 海力士（SK Hynix）已经开发出 238 层 NAND 闪存芯片，它可以用于 PC 存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货 232 层 NAND 闪存芯片。

SK 海力士宣称新的 238 层芯片是最小的 NAND 闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升 50%，读取数据消耗的能量降低 21%。SK 海力士准备于 2023 年上半年开始大规模生产新芯片。

英特尔 NAND 业务被 SK 海力士收购后更名为 Solidigm，它与 SK 海力士合计占有全球 NAND 闪存市场的 18%，仅次于三星的 35.3% 和 Kioxia 的 18.9%。

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