三星2022技术日公布三大重要计划

三星最近公布了其半导体技术路线图，包括 1.4 nm、新内存技术和“无晶圆厂的整体解决方案”的计划。

自 2017 年以来，三星每年举办一次“技术日”研讨会，期间将发布新技术、讨论行业状况并公布未来计划。在 2022 年代工论坛之后举行的 2022 年技术日上，三星为其即将推出的 1.4nm 工艺节点、内存路线图以及扩大其行业影响力的目标制定了计划。在本文中，我们将讨论会议的一些主要亮点。

三星将着眼于 1.4nm

在三星 2022 年代工论坛上，该公司宣布了继续扩展其工艺技术的计划。今年早些时候，三星开始生产其 3nm 节点，这是业内第一家完成这一壮举的代工厂。现在，三星已经将目光投向了下一代工艺技术，特别是 2nm 节点。

MOSFET 演进达到先进节点。

三星计划到 2025 年实现 2nm 生产。实现这一规模将需要三星基于环栅 (GAA) 的晶体管技术。除此之外，该公司设想到 2027 年达到 1.4nm 节点，并计划在同年将其先进节点产量提高两倍。

Big V-NAND 和 DRAM 计划正在进行中

三星还推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品。

该公司目前为 V-NAND 提供 512 Gb TLC产品，但预计今年晚些时候会发布 1 TB的TLC 版本。第五代 DRAM 产品将是 10nm (1b) 器件，将于 2023 年进入量产阶段。即将推出的其他 DRAM 解决方案包括 32 Gb DDR5 解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

三星最新 DDR5 解决方案

三星对其 V-NAND 有很大的计划，声称到 2030 年，它将实现 1000 层的 V-NAND。为了实现这一目标，三星正在从其当前的 TLC 架构过渡到QLC架构，以提高密度并启用更多层。

三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源，研究新的架构和材料，例如 High-K，以帮助将 DRAM 工艺扩展到 10 纳米以下。该公司打算进一步开发其他 DRAM 解决方案，例如内存处理 (PIM)。

三星与整个行业的合作

三星以 2022 年技术日为契机，制定了一些行业外展计划。

三星的系统 LSI 业务宣布打算成为“无晶圆厂的整体解决方案”。通过这种设计服务的方式，该集团意味着它将利用其产品，包括 SoC、PMIC 和安全解决方案，整合到一个供客户使用的单一平台中。通过这种方式，三星可以在没有晶圆厂的情况下为其客户设计定制解决方案。

三星还通过扩大贸易伙伴关系来扩大其行业影响力。具体来说，该公司将开设三星内存研究中心 (SMRC)，客户和供应商可以在该中心在各种应用和环境中测试三星内存设备。该中心将与包括红帽和谷歌在内的合作伙伴合作设计。