采用EPC新型车规级GaN FET设计更高分辨率激光雷达系统

以实现更先进的自主式系统

EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。

作为增强型氮化镓 (eGaN®) FET 和 IC 的全球领导者，宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大已有现货供应的车规级氮化镓晶体管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封装内提供 75 A 脉冲电流的EPC2252，比硅MOSFET更小和更高效，适用于自动驾驶和其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。

在高频工作时，氮化镓晶体管具有更低的开关损耗、更低的传导损耗、零反向恢复损耗和更低的驱动功率，可实现高效率。结合极小的占板面积，这些优势可实现最高功率密度。

氮化镓晶体管具备快速开关、亚纳秒级转换和在短于3 ns 时间内可生成大电流脉冲的优势，使激光雷达在自动驾驶、停泊车辆和防撞方面看得更远和分辨率更高。

EPC联合创始人兼首席执行官 Alex Lidow 说:“EPC2252是车规级激光雷达、低电感电机驱动器和 48 V DC/DC转换的理想开关。我们致力于为汽车市场扩大氮化镓产品系列，以实现高效、低成本的汽车电气化和自动驾驶。”

EPC2252以1000片为单位批量购买，每片价格为0.91美元，可从Digi-Key立即发货。

有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，根据您所需的特定工作条件，我们会推荐合适的替代方案。