国内首批！铭镓半导体实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破

近日，从顺义科创集团获悉，入驻企业北京铭镓半导体有限公司实现4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。

铭镓半导体工作人员在做相关试验。

北京铭镓半导体有限公司创始人、董事长陈政委向记者介绍，稳态氧化镓晶体为单斜结构，存在（100）和（001）两个解理面，主面（001）晶体的生长对工艺过程控制的要求极高，也更适于制备功率半导体器件，因此控制生长主面（001）晶相氧化镓晶体难度非常大。陈政委告诉记者：“此次，我们使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓单晶，完成了4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，并且将进行多次重复性实验，从很大程度上解决了氧化镓晶体生长的相关技术难题。”

北京铭镓半导体有限公司成立于2020年，专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓单晶、外延衬底和高频大功率器件的制造，是国内较早将半导体氧化镓材料产业化落地的企业之一。2022年6月，该公司完成了由社会资本领投8千万元A轮融资，顺义科创集团及时准确掌握企业发展诉求，腾退园区989平方米闲置厂房，协助企业解决扩产空间需求，助推氧化镓扩大加工线及新建洁净室顺利落地。2023年底完成扩产计划后，铭镓半导体将建成国内首条集晶体生长、晶体加工、薄膜外延、性能测试于一体的氧化镓完整产业线，成为年产千片以上规模的氧化镓材料企业，满足下游100多家器件设计、制造封装工业企业与科研院所的材料供应需求。

铭镓半导体洁净室。

陈政委表示，在完成4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破的同时，公司光学晶体已完成中试，开始转型规模化量产，其生产的掺杂人工光学晶体已获得客户的广泛认可，另外磷化铟多晶材料产线也已上线运营，完成重点客户认证工作，并获得长期稳定性订单。

目前，铭镓半导体已研制并生产出高质量、大尺寸氧化镓单晶片与外延片、大尺寸蓝宝石窗口材料、磷化铟多晶及单晶衬底、高灵敏日盲紫外探测传感器件、高灵敏光电型局部放电检测系统等产品。