sureCore和Intrinsic宣布合作，以加快创新的ReRAM技术的上市时间

SureCore和Intrinsic宣布建立合作关系，以加快Intrinsic创新的电阻式随机存取存储器(ReRAM)技术的上市时间。Intrinsic的ReRAM将解决SoC开发人员在22nm及更小节点上寻求嵌入式非易失性存储解决方案所面临的挑战，因为闪存不再是一个可行的选择。该技术具有许多引人注目的优势，包括类似闪存的密度以及SRAM访问时间。广泛的应用将能够从这样的解决方案中受益，包括汽车、医疗、可穿戴设备、人工智能、边缘人工智能和AIoT。

嵌入式闪存一直是值得信赖的非易失性主力，特别是多年来的微控制器领域。它允许产品通过无线下载向客户提供更新的固件，以确保可以快速轻松地提供错误修复和新功能。然而，随着摩尔定律的不断发展，FinFET节点的成本效益更高，但扩展到28nm以上的闪存也变得越来越具有挑战性。这为填补空白的新存储技术打开了大门。汽车市场正密切关注这一趋势，因为提高自动驾驶能力需要更高的处理能力和更多的嵌入式存储器。

Flash将不再按照逻辑进行扩展，这对高级微控制器的开发人员来说是一个强有力的挑战。由于在同一芯片上构建这两种技术是不现实的，因此供应商被迫采用双芯片解决方案，从功耗的角度来看，这远非理想的解决方案。Intrinsic旨在通过提供一种非易失性存储器来解决这个问题，这种存储器可以很容易地构建在与逻辑相同的高级工艺节点上。这大大降低了功耗，消除了使用片外闪存造成的潜在数据带宽瓶颈和延迟。其技术读取数据的速度比现有解决方案快10倍到100倍，写入数据的速度比现有解决方案快1000倍，并且在后端使用标准处理技术制造，使其比其他ReRAM解决方案更简单，更便宜。这一点，再加上其类似闪存的密度和高温弹性，使其特别有吸引力。

sureCore首席执行官Paul Wells解释说:“Intrinsic发明了一种突破性的存储技术，使开发人员能够开发更先进节点的密度和性能，并集成其可扩展的非易失性存储解决方案。我们在优化片上存储器方面拥有多年的专业知识，我们的SureFIT™定制SRAM设计服务提供了定制的优化存储器解决方案，以满足应用需求。这既包括单个实例，也包括完整的编译器。

“将这项服务扩展到Intrinsic的ReRAM技术，并利用我们的设计环境来提供相关的验证和表征环境，从而支撑编译器的价值，这是一小步。存储器编译器的使用对于最大限度地发挥新存储器(如ReRAM)的商业潜力至关重要。我们很高兴能与一家英国存储器公司合作，帮助他们将新的存储器技术推向市场。我们独特的存储器设计专业知识与专有的工具套件相结合，使我们能够快速开发成功的产品。”

Intrinsic的首席执行官Mark Dickinson补充道:“支撑sureCore sureFIT服务的是一套强大的工具，如果我们必须从头开始创建类似的解决方案，它将使我们节省多年的开发工作。此外，sureCore的工具和技术已经过硅验证，并经过多年的优化，可以提供最低功耗和最高密度的存储器。我们很高兴能够在我们的ReRAM产品的开发中带来这些好处。使用Intrinsic ReRAM的微控制器和不断发展的AI架构都将以更低的功耗提供比使用片外闪存更高的性能。”

Intrinsic Semiconductor Technologies

Intrinsic Semiconductor Technologies是伦敦大学学院(UCL)的一家衍生公司，成立于2017年，旨在利用其专利知识产权，将伦敦大学学院电子与电气工程系的Tony Kenyon教授和Adnan Mehonic博士开发的新型记忆体ReRAM设备商业化。Intrinsic的创新方法解决了数据密集型应用程序的存储器瓶颈，通过将快速、廉价和极低功耗的存储器集成到与处理器相同的芯片上，这将开辟新一代具有发达大脑的小型设备，将智能嵌入到任何地方。
www.intrinsicsemi.com

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sureCore是超低功耗嵌入式存储器专家，是低功耗创新者，通过超低功耗存储器设计服务和标准IP产品组合，使IC设计界能够满足激进的功耗预算。sureCore的低功耗工程方法和设计流程满足最严格的存储器要求，提供全面的产品和设计服务组合，为客户创造明确的市场差异化。本公司的低功耗产品线包括一系列接近阈值的、经过硅验证的、以及工艺独立的SRAM IP。