Transphorm和Allegro MicroSystems联手，提高GaN功率系统在高功率应用中的性能

专用隔离式栅极驱动器推动数据中心、可再生能源和电动汽车领域快速采用先进的GaN半导体

Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）是坚固耐用GaN功率半导体领域的全球领先企业，Allegro MicroSystems, Inc.（以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM）是运动控制和高能效系统领域功率和传感半导体技术的全球领先企业，这两家公司今天宣布开展合作，其中包括Transphorm的SuperGaN® FET和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，以扩展面向高功率应用的GaN功率系统设计。

Transphorm的SuperGaN FET旨在用于各种拓扑结构，并提供多种不同的封装，以支持宽功率范围，同时满足各种终端应用要求。SuperGaN FET用于多种商业产品，包括经证明可显著提高可靠性、功率密度和效率的更高功率系统。

Allegro的自供电单通道隔离式栅极驱动器IC针对在多种应用和电路中驱动GaN FET进行了优化。事实证明，与同类栅极驱动器相比，AHV85110的驱动器效率提高了50%。这种独特的解决方案大大简化了系统设计，与市场上的其他解决方案相比，噪声降低了10倍，共模电容降低了15倍。

Transphorm全球销售和FAE副总裁Tushar Dhayagude表示：“Allegro的AHV85110高压栅极驱动器提供了一种高度紧凑且高效的功率级实施方案，有助于通过最少的外部组件数量和Transphorm功率器件周围的偏置电源要求，将占地面积减少了大约30%。与竞争技术相比，SuperGaN具有更高的可靠性和卓越的动态开关性能，结合这些优势，最终可为服务器、数据中心、可再生能源和电动汽车等关键应用提供更高效、更强大、功率密度更高的解决方案。”

Allegro MicroSystems副总裁兼高压电源总经理Vijay Mangtani表示：“我们很高兴与Transphorm开展合作，进一步支持Allegro致力于帮助客户优化基于GaN的系统开发和设计。我们期待着有机会将我们的高压隔离式栅极驱动器AHV85110与Transphorm的SuperGaN FET相结合，以更小的外形尺寸实现更高的功率密度、更高的效率和更高的功率输出，并为我们和Transphorm的客户提供价值。”

有兴趣测试协作解决方案的用户可以通过Allegro的APEK85110KNH-06-T评估板进行测试。该评估板采用了设计用于各种应用的AHV85110以及Transphorm最近发布的TOLL封装（可用于导通电阻分别为35、50和72毫欧的三种器件）。

关于 Transphorm

Transphorm, Inc.是GaN革命的全球领导企业。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性GaN半导体。Transphorm具有最大的功率GaN IP组合之一，拥有1000多项公司拥有或获得许可的专利。该公司生产了业界首个符合JEDEC和AEC-Q101要求的高压GaN半导体器件。该公司的垂直集成设备商业模式允许在每个开发阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持等。Transphorm的创新使电力电子产品超越了硅的限制，实现了超过99%的效率、50%以上的功率密度和20%以下的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州戈利塔，并在戈利塔和日本艾祖设有制造业务。若要了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。请在Twitter @transphormasa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。