ASML 回击质疑：High－NA EUV 光刻仍是未来最经济选择

ASML 首席财务官 Roger Dassen 近日接受了荷兰当地媒体 Bits&Chips 的采访。在采访中，Dassen 回应了分析机构 SemiAnalysis 的质疑，表示 High-NA（高数值孔径）EUV（极紫外光）光刻机仍是未来最经济的选择。

SemiAnalysis 之前刊发文章，认为 High-NA 光刻技术将使用更高的曝光剂量，从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着，相较于沿用现有的 0.33NA EUV 光刻机并搭配多重曝光，引入 High-NA 在近期不会带来成本优势。

Dassen 认为，SemiAnalysis 的观点轻视了多重曝光路线的复杂程度，英特尔 10nm 制程难产的关键原因之一就是其 DUV+SAQP（IT之家注：Self-Aligned Quadruple Patterning，即自对准四重曝光）技术路线过于复杂，正因此英特尔积极布局 High-NA EUV 技术，买下了第一台 High-NA 光刻机。

Dassen 表示，不同客户对于引入 High-NA 的时间点有不同评估是很自然的，不过 AMSL 每季度都获得了数个 High-NA EUV 光刻机新订单。