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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统

关键词:英飞凌碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2

时间:2024-03-12 11:12:55      来源:英飞凌

英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%,不仅提升了整体能效,更进一步推动了低碳化进程。

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%,不仅提升了整体能效,更进一步推动了低碳化进程。


CoolSiC 650v-1200v

CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势,通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。这为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等功率半导体应用领域的客户带来了巨大优势。与前几代产品相比,采用CoolSiC™ G2 的电动汽车直流快速充电站最高可减少10%的功率损耗,并且在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率。基于CoolSiC™ G2器件的牵引逆变器可进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域,采用 CoolSiC™ G2的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸,从而降低每瓦成本。

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 博士表示:“目前的大趋势是采用高效的新方式来产生、传输和消耗能量。英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠,且效率更高的系统,在实现节能的同时减少现场的每瓦二氧化碳排放。这充分体现了英飞凌坚持不懈持续推动工业、消费、汽车领域的低碳化和数字化的创新。”

英飞凌开创性的CoolSiC™ MOSFET沟槽栅技术推动了高性能CoolSiC™ G2解决方案的发展,实现了更加优化的设计选择,与目前的SiC MOSFET技术相比,具有更高的效率和可靠性。结合屡获殊荣的.XT封装技术,英飞凌以更高的导热性、更优的封装控制以及更出色的性能,进一步提升了基于 CoolSiC™ G2 的设计潜力。

英飞凌掌握了硅、碳化硅和氮化镓(GaN)领域的所有的关键功率技术,可提供灵活的设计和领先的应用知识,满足现代设计的期待和需求。在推动低碳化的过程中,基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)材料的创新半导体已成为能源高效利用的关键。

欢迎点击这里报名参加4月16日的2024年英飞凌宽禁带开发者论坛。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,600名员工,在2023财年(截至9月30日)的营收约为163亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。
更多信息,请访问www.infineon.com
更多新闻,请登录英飞凌新闻中心:https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/market-news/  

英飞凌中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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