“三星电子已确认正准备在其平泽P4工厂引入DRAM处理设备，建设1c nm DRAM内存产线，并计划于明年6月开始运营，旨在提升HBM4内存的能效竞争力。
”三星电子已确认正准备在其平泽P4工厂引入DRAM处理设备，建设1c nm DRAM内存产线，并计划于明年6月开始运营，旨在提升HBM4内存的能效竞争力。
据悉，平泽P4是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为NAND闪存生产，二期为逻辑代工，三期、四期将专注于DRAM内存的生产。目前，三星已在P4一期导入了DRAM生产设备，但搁置了二期建设。
（注：进入20~10nm制程后，一般以“1 + 字母”的形式称呼内存世代，1c nm 即为第六个 10+ nm 制程世代，美光也称之为 1γ nm 工艺。）
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