Kioxia与Sandisk推出下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s的NAND接口速度

两家公司预览第十代3D闪存技术，为性能、电源效率和比特密度设定新基准

Kioxia Corporation和Sandisk Corporation率先推出了先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的电源效率和更高的密度树立了行业标杆。

在2025年国际固态电路会议(ISSCC 2025)上推出的这项新3D闪存创新结合了两家公司革命性的CBA（CMOS直接键合至阵列）技术1，采用了最新的接口标准之一——适用于NAND闪存的Toggle DDR6.0，并且利用了SCA（分离命令地址）协议2（一种适用于其接口的新型命令地址输入方法）以及PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术3，这对于进一步降低功耗至关重要。

借助这项独特的高速技术，两家公司预计新的3D闪存的NAND接口速度将比目前正在大规模生产的第八代3D闪存提高33%，达到4.8Gb/s的接口速度。该技术还能提升数据输入/输出的电源效率，使输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，从而实现高性能与低功耗的平衡。两家公司在预览第十代3D闪存时详细介绍称，通过将存储层数量增加到332层，并优化布局以提高平面密度，该技术使比特密度提高了59%。

Kioxia首席技术官Hideshi Miyajima表示：“随着AI技术的普及，预计产生的数据量将大幅增加，现代数据中心对提高电源效率的需求也会相应增加。Kioxia坚信，这项新技术将能够实现更大容量、更高速度和更低功耗的产品，包括用于未来存储解决方案的固态硬盘，并为AI的发展奠定基础。”

Sandisk全球战略与技术高级副总裁Alper Ilkbahar表示：“随着AI的发展，客户对存储的需求正变得日益多样化。通过我们的CBA技术创新，我们旨在推出在容量、速度、性能和资本效率方面达到最佳平衡的产品，以满足不同细分市场的客户需求。”

Kioxia和Sandisk还分享了即将推出的第九代3D闪存的计划。借助其独特的CBA技术，两家公司可以将新的CMOS技术与现有的存储单元技术相结合，以提供具有资本效率、高性能和低功耗的产品。双方都将继续致力于开发前沿的闪存技术，提供量身定制的解决方案以满足客户需求，并为数字社会的发展做出贡献。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统）的未来。

关于Sandisk

Sandisk提供创新的闪存解决方案和先进的存储技术，在人们追求理想的当下满足个人和企业的需求，使他们能够不断前行并拓展新的可能性。Sandisk Corporation是Western Digital (Nasdaq: WDC)的全资子公司。敬请在Instagram、Facebook、X、LinkedIn和Youtube上关注Sandisk，并在Instagram上加入Sandisk团队。

1.一种技术，其中每个CMOS晶圆和存储单元阵列晶圆在其优化状态下分别制造，然后键合在一起。
2.一种技术，其中命令/地址输入总线和数据传输总线完全分离为不同的总线，然后并行使用。这减少了数据输入/输出时间。
3.一种技术，其中现有的1.2V电源和额外的较低电压电源被用于NAND接口电源。这降低了数据输入/输出期间的功耗。

* 1Gbps计算为1,000,000,000比特/秒。此数值是在我们特定的测试环境下获得的，可能会因使用条件而有所不同。
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