台积电2nm芯片下半年量产 采用GAA技术

台积电在2025年北美技术研讨会上透露，该公司有望在今年下半年开始大规模生产N2（2nm 级）芯片，这是其首个依赖环栅（GAA）纳米片晶体管的生产技术。

这一新节点将助力众多明年上市的产品，包括AMD面向数据中心的下一代EPYC“Venice” CPU，以及各种面向客户端的处理器，例如苹果2025年面向智能手机、平板电脑和PC的芯片。得益于GAAFET（环绕栅极晶体管）和增强的功率输出，新的2nm节点将在提高性能和晶体管密度的同时，实现显著的功耗节省。此外，后续工艺技术A16和N2P也有望于明年投入生产。

N2是台积电全新的制程技术，将实现所谓的“全节点改进”，与N3E相比，性能提升10%至15%，功耗降低25%至30%，晶体管密度提升15%。台积电表示，N2的晶体管性能已接近目标，256Mb SRAM模块的平均良率超过90%，这表明随着N2逐步量产，该制程已达到成熟的水平。

N2将是台积电首个采用GAA纳米片晶体管的节点。由于栅极360度环绕沟道（N2的沟道形状为多个水平纳米片），该技术有望提升性能并降低漏电。这种结构可以最大限度地增强对沟道的静电控制，从而在不影响性能或功耗的情况下最小化晶体管尺寸，最终实现更高的晶体管密度。

台积电N2制造工艺有望在今年下半年投入量产，并将支持明年推出的众多产品，包括AMD用于数据中心的下一代EPYC“Venice”CPU以及各种面向客户端的处理器，例如苹果用于智能手机、平板电脑和个人电脑的2025年SoC。