“美光当地时间昨日宣布将在美国的投资从此前宣布的 1250 亿美元扩大至 2000 亿美元（现汇率约合 1.44 万亿元人民币），包括额外 250 亿美元的内存制造投资和单独 500 亿美元的研发投资。美光此前已启动位于其总部爱达荷州博伊西的 1 座 DRAM 内存晶圆厂建设，并计划在纽约州克莱再建设 4 座大型内存晶圆厂。
”美光当地时间昨日宣布将在美国的投资从此前宣布的 1250 亿美元扩大至 2000 亿美元（现汇率约合 1.44 万亿元人民币），包括额外 250 亿美元的内存制造投资和单独 500 亿美元的研发投资。
美光此前已启动位于其总部爱达荷州博伊西的 1 座 DRAM 内存晶圆厂建设，并计划在纽约州克莱再建设 4 座大型内存晶圆厂。
此次的新公告则计划在博伊西加建一座晶圆厂、建设 HBM 封装设施、对弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂进行扩建和现代化。
马纳萨斯晶圆厂将制造已相对成熟的 1-alpha (1a nm) DRAM，保障美国多个关键领域的内存供应。美国商务部已敲定对该项目的 2.75 亿美元《CHIPS》法案补贴，这意味着美光所获直接资金支持总额上升至 64 亿美元。
美光在博伊西新建的第一座晶圆厂计划于 2027 年开始生产 DRAM，克莱建设项目有望在今年晚些时候启动地面准备。该企业认为博伊西第二新晶圆厂将在克莱第一晶圆厂前上线；而在博伊西两座新厂竣工后 HBM 封装项目也将启动。
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