为发展先进封装，传联电计划收购彩晶南科厂

近日市场传出消息称，晶圆代工大厂联电有意在南科收购瀚宇彩晶厂房。对此，联电响应表示，对于市场传言不予评论。不过针对未来在中国台湾产能规划，联电指出，目前已在新加坡建置2.5D先进封装产能，并已将部分制程拉回中台湾，不排除未来在台扩厂的可能。

未来将依据业务发展与整体策略，搭配既有的晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）技术，持续在台湾推进更完整的先进封装解决方案。

联电目前于南科设有Fab 12A厂，于2002年开始量产，现已导入14nm制程，提供客户高阶定制化制造。据业界信息指出，联电正洽谈购置Fab 12A厂对面的彩晶厂房，未来可能规划用于发展先进封装产能。

对于是否有意购置该厂，联电财务长刘启东表示，对市场传闻无法回应，但强调，公司会持续寻找对营运与获利具正面助益的机会，包括厂房设定、技术合作与新投资案。中国台湾始终是联电扩产的重要选项。

针对未来扩产方向，刘启东指出，联电将不再局限于传统晶圆代工，也将跨足先进封装等高附加价值领域。目前公司在新加坡已建置2.5D封装制程，并具备晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）技术，这是一项可在原子级层面进行晶圆堆叠的关键工艺，广泛应用于3D IC制造。联电在中国台湾的产线，也已具备该制程能力。

刘启东强调，联电未来将持续发展整套的先进封装解决方案，而非单纯制程投入，将晶圆代工与封装整合，朝向完整服务体系迈进。

展望技术布局，联电指出，现阶段晶圆制程仍以12nm并与英特尔合作为主，未来除逻辑制程外，也将积极投入化合物半导体、横向特制化等新型材料与应用，拓展多元产品线的竞争优势。

此外，联电硅中介层（Interposer）目前月产约6,000片，后市已无新增扩产计划。

刘启东表示，未来重点将转向“更高附加价值的整合型技术”，包括导入Wafer to Wafer Bonding制程，再搭配现有晶圆制造技术，开发更完整的系统级解决方案，并提供客户一站式服务。

联电重申，未来在产能配置方面，将秉持全球布局原则，灵活应对产业与政策环境变化，而中国台湾具备人才与供应链优势，更是研发与生产的主要重心，未来任何具价值的投资与合作机会，公司都将积极评价、审慎布局。