作为领先的垂直整合制造商（IDM），英飞凌在 300mm氮化镓生产路线图方面取得突破

随着氮化镓（GaN，以下同）半导体需求的持续增长，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正抓住这一趋势，巩固其作为GaN市场领先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位。近日，公司宣布其在 300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨。随着首批样品将于2025年第四季度向客户提供，英飞凌有望扩大客户群体，并进一步巩固其作为领先氮化镓巨头的地位。

英飞凌300mm GaN技术

作为功率系统领域的领导者，英飞凌已经掌握全部三种材料的相关技术：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。凭借更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗，氮化镓半导体可实现更紧凑的设计，从而减少智能手机充电器、工业和人形机器人，以及太阳能逆变器等电子设备的能耗和热量产生。

英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“英飞凌全面扩大的300mm GaN生产规模将帮助我们更快地为客户提供更高价值的产品，同时推动实现Si和GaN同类产品的成本持平。在英飞凌宣布突破300mm GaN晶圆技术近一年后，我们很高兴看到我们的过渡进程进展顺利，并且业界已经认识到英飞凌GaN技术在我们的IDM战略优势下所发挥的重要作用。”

英飞凌的生产策略主要以 IDM 模式为主，即拥有从设计到制造和销售最终产品的整个半导体生产流程。公司的内部生产策略是市场上的一个关键差异化因素，具有多重优势，如能提供更高质量的产品、更快的产品上市时间以及出色的设计和开发灵活性。英飞凌致力于为氮化镓客户提供支持，并可扩大产能以满足他们对可靠的GaN电源解决方案的需求。

凭借其技术领先优势，英飞凌已成为首家在现有大批量生产基础设施内成功开发出300mm GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与现有的 200mm晶圆相比，300mm晶圆上的芯片生产在技术上更加先进，效率也显著提高，因为更大的晶圆直径可使芯片生产效率提高 2.3 倍。这些增强的能力，加上英飞凌强大的GaN专家团队，以及业界最广泛的知识产权组合，恰好可以满足基于GaN的功率半导体在工业、汽车、消费、计算和通信等领域快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统等。

市场分析师预测，到2030年，GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元[1]。英飞凌拥有专门的生产能力和强大的产品组合，去年发布了40多款新型GaN产品，这使其成为寻求高质量GaN解决方案客户的首选合作伙伴。

[1] Yole Group；《功率碳化硅和氮化镓化合物半导体市场监测，2025 年第二季度》