国产DDR5质量与南亚科技相当，目标2025年底量产

据台媒Digitimes报道，中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）正在积极推进其DDR5和LPDDR5 DRAM工艺升级。供应链消息人士透露，长鑫存储的样品近期已通过测试，质量已经与南亚科技的产品相当，目标2025年底量产。

报道称，长鑫存储在2024年年底开始生产其 DDR5 内存，不过长鑫存储当时使用的可能是其相对落后的第 4 代 DRAM 工艺节点（特征尺寸约为16nm，相当于三星2021年推出的第 3 代 10nm 级节点DDR5）来制造其 16 GB DDR5芯片，这就是为什么与三星生产的 16GB DDR5 芯片相比要大40%的原因。这意味着，与三星的DDR5芯片相比，长鑫存储DDR5芯片的制造成本要高得多，这使得长鑫存储DDR5芯片在市场竞争当中处于弱势，且无利可图。

成本并不是长鑫存储DDR5芯片面临的唯一问题。报道称，长鑫存储DDR5样品的早期测试暴露了60°C左右的稳定性问题（紧密封装系统中DDR5内存模块的常见温度），以及在零下温度下运行的问题。这些问题阻碍了基于长鑫存储 DDR5芯片的模组达到可靠性标准。

因此，长鑫存储不得不改变其DDR5的设计，以至于必须制造新的光掩模，以解决在高温或低温下运行的问题。这也使得长鑫存储不得不推迟其新版的 DDR5 内存的量产。

DigiTimes 报道称，内部人士最初预计量产将在 2025 年 5 月或 6 月左右开始，但到 7 月，还没有证据表明已成功量产。事实证明，尽管发热问题取得了进步，但长鑫存储生产线上DDR5的良率仍然相对较低，徘徊在50%左右，这对于商用DRAM来说是不可接受的。

供应链消息人士表示，长鑫存储需要更多的改进和运营经验才能达到与行业平均水平具有竞争力的良率，这将进一步延迟其批量生产时间。目前，长鑫存储的目标是到 2025 年底大规模制造 DDR5。

最近对基于长鑫存储新版DDR5芯片的模块的测试表明，其质量和性能有了显着飞跃，据说几乎与中国台湾的南亚科技同类产品相当。如果这些产品经过领先的 PC 制造商或模块厂商的验证，将表明长鑫存储正在缩小与成熟 DRAM 供应商的差距。当然，由于良率问题，这些部件尚未进入大批量生产，因此就目前而言，长鑫存储很难被视为DDR5市场上强有力的竞争对手。