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5G之下,ROHM将如何乘势而为?

关键词:5G SiC功率元器件 转换器

时间:2020-05-06 16:33:19      来源:中电网

如今,5G商用进程不断提速,加之前段时间高层多次点名”新基建”,5G基站建设或将迎来高峰,这些讯号将会给半导体产业带来哪些利好?作为全球知名半导体厂商,罗姆(ROHM)在5G方面的战略布局是怎样的?5G之下,罗姆将如何乘势而为?

如今,5G商用进程不断提速,加之前段时间高层多次点名”新基建”,5G基站建设或将迎来高峰,这些讯号将会给半导体产业带来哪些利好?作为全球知名半导体厂商,罗姆(ROHM)在5G方面的战略布局是怎样的?5G之下,罗姆将如何乘势而为?

据了解,罗姆针对无线基站推出了多款解决方案,包括SiC功率元器件、MOSFET和DC/DC转换器等,助力电信运营商及设备生产商更好地完成4G到5G的平稳升级。

罗姆面向基站的解决方案示意图

<针对UPS供电的电源IC>

罗姆针对UPS供电方式(上图中①),提供外置FET的升降压开关控制器“BD9035AEFV-C”、1ch同步降压型DC/DC转换器“BD9B304QWZ”以及“BD9F800MUX”。

BD9035AEFV-C的输入电压范围为3.8V~30V,开关频率在100kHz~600kHz,能够在-40℃~+125℃工作温度范围内稳定运转。这些优质特性让其不仅能够用于基站建设,还能够应用于汽车设备、工业设备和其他电子设备。

BD9F800MUX输入电压范围为4.5V~28V,开关频率在300kHz或600kHz,最大输出电流为8.0A,封装尺寸为3.5mm×3.5mm×0.6mm。在基站建设方面,可用于DSP、FPGA、微处理器等的降压电源。此外,也可用于液晶电视、DVD /蓝光播放器、录像机、机顶盒等消费电子设备。

BD9B304QWZ的主要优点是通过高效率实现低功耗工作。Deep-SLLM控制(升级版低负荷高效率模式)可实现80%以上的效率。同时,BD9B304QWZ是内置MOSFET的同步整流器,无需外部FET和二极管,节省安装空间,实现了低成本。

基于上述各自的优点,BD9B304QWZ和BD9F800MUX虽然特性各不相同,但是应用范围基本相同,可用于基站建设中DSP、FPGA、微处理器等的降压电源,也可用于液晶电视、DVD /蓝光播放器、录像机、机顶盒等消费电子设备。

<针对HVDC供电的电源IC>

针对HVDC供电方式(上图中②),罗姆提供80V/3A DC/DC 转换器“BD9G341AEFJ-LB”等产品。

BD9G341AEFJ-LB内置80V/3.5A/150mΩ的Nch功率MOSFET,采用电流模式控制,实现了高速瞬态响应和简便的相位补偿设定。除了内置过流保护、欠压锁定、过热保护、过压保护等这些基本保护功能外,还能实现了0µA待机电流和软启动。相比一般产品,BD9G341AEFJ-LB实现了诸多方面的突破,包括更高的工作电压、更大的工作电流和更小的封装尺寸等。在300kHz、Vo=5V、VCC=24V的工作条件下,当输出电流在0~100mA范围时,BD9G341AEFJ-LB相较于一般产品在能效上提高了8%-17.6%。

为了满足未来包括基站电源在内的庞大的市场需求,罗姆将在DC/DC转换器方面继续开发相关产品。

<为5G基站带来革新的SiC功率元器件>

当然,除了供电方式发生变化,5G基站建设对器件材料变革也有推动作用。由于高频、高温、抗辐射以及大功率等挑战,以SiC功率元器件(上图中③)为首的高性能半导体材料将在5G建设上有重要应用。为了帮助客户更好地应对5G基站建设过程中的上述挑战,罗姆已经推出第三代碳化硅材料的肖特基势垒二极管(SiC-SBD)。相较于第二代产品,第三代拥有更好的正向电压(VF)特性和更好的反向电流(IR)特性。

得益于罗姆第三代SiC-SBD更好的VF和IR特性,客户在设计产品的过程中可以采用更低的开启电压,在正向切为反向时,为了降低功耗,器件将产生更小的瞬态电流。但是,因为SiC-SBD的瞬态电流本质上不随正向电流变化,恢复时产生的恢复电流很小,降低了系统噪声。

相比一般产品,第三代 650V SiC-SBD表现出更好的产品性能,包括实现更高的IFSM,更低的漏电流,以及进一步降低VF等。

目前,罗姆在650V SiC-SBD方面拥有丰富的产品组合。

罗姆650V SiC-SBD产品阵容

面对5G基站建设多样化的需求和复杂的应用环境所带来的挑战,罗姆将持续保证所供应电源器件的稳定性和耐久性,助力运营商和设备厂商完成高速稳定的网络覆盖。当然,除了我们熟知的电源器件,罗姆还供应电流传感器和LVDS接收器等其他元器件,了解更多器件,请登录罗姆官网查看详情。

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