美光 DDR5 内存现已配合第四代 AMD EPYC 处理器平台出货

强强联合可将特定的高性能计算内存工作负载性能提升 2 倍

内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布出货适用于数据中心并已通过AMD 全新EPYC™ （霄龙） 9004 系列处理器验证的 DDR5 内存。随着现代服务器配备更多处理内核的CPU，其单个CPU内核的内存带宽在不断下降。为缓解这一瓶颈，美光 DDR5 提供比前几代产品更高的带宽，从而提升可靠性和可扩展性。第四代 AMD EPYC 处理器与美光 DDR5 的强强联合，使内存带宽在 STREAM 基准测试中翻倍，并在特定的高性能计算 （HPC）工作负载中将性能提升 2 倍，例如计算流体动力学（OpenFOAM）、天气研究与预报（WRF）建模和 CP2K 分子动力学。

美光高级副总裁兼计算及网络事业部总经理 Raj Hazra 表示：“美光不断引领业界转向 DDR5 市场。如今的算法越来越倚赖内存，它们需要更高的内存性能和可靠性才能从海量的数据中获取洞察。DDR5 极大提升了支撑这些算法所需的系统内存能力，从而持续提升下一代数据中心基础设施的价值。”

AMD EPYC 产品管理企业副总裁 Ram Peddibhotla 表示：“第四代 AMD EPYC 处理器不仅能持续提高现代数据中心工作负载的性能标准，同时还能提供卓越的能效。它将改变客户运营数据中心的模式 —— 加快价值实现的时间，降低总体拥有成本，帮助企业实现可持续发展目标。”

在STREAM基准性能测试中，美光将第四代AMD EPYC 处理器系统搭配美光 DDR5（4800 MT/s）组合与第三代 AMD EPYC 处理器系统和美光DDR4（3200 MT/s）组合进行了对比。在第四代 AMD EPYC 处理器系统加持下，美光 DDR5实现了每插槽 378 GB/s 的峰值内存带宽，而搭配第三代 AMD EPYC 处理器系统的DDR4峰值内存带宽仅为 189 GB/s。测试显示系统内存带宽提升了两倍。

美光携手 AMD 评估了第三代 AMD EPYC 处理器搭配美光 DDR4 组合对比第四代 AMD EPYC 处理器搭配美光 DDR5组合在三种高性能计算工作负载（OpenFOAM、WRF和CP2K）中的表现。第四代 AMD EPYC 处理器平台搭配美光 DDR5 组合将 OpenFOAM 性能提高了 2.4 倍，WRF性能提高了 2.1 倍，CP2K性能提高了 2.03 倍。

联想基础设施解决方案集团高性能计算与人工智能业务副总裁 Scott Tease 表示：“随着建模和仿真以及机器学习工作负载在高性能计算和人工智能中的持续增长，客户要求内存解决方案能够最大限度地提高有效带宽。在整个开发和验证阶段，我们与美光密切合作，致力于满足性能密集型工作负载的需求。DDR5 加速推动内存性能进入新纪元，助力我们交付下一代平台。”

美光在 JEDEC 制定 DDR5 内存规范的过程中发挥了关键作用，同时也是最早向客户出样 DDR5 的厂商之一。美光的技术赋能计划（TEP）是业内首个同类计划，帮助系统设计人员尽早获得关键的内部资源，从而协助他们进行 DDR5 的验证和认证。美光致力于在整个生态系统中开展合作，并将持续在领先的技术和产品路线图上进行投入。