Polar与瑞萨电子达成硅基氮化镓技术授权协议

日前，Polar Semiconductor与瑞萨电子（Renesas）达成战略协议，授权其硅基氮化镓D型（GaN-on-Si）技术，并将在其位于明尼苏达州的8英寸车规级量产工厂为瑞萨及其他客户生产650V高压硅基氮化镓器件。

根据协议，Polar与瑞萨将共同推进GaN器件的商业化量产，重点覆盖汽车电子、数据中心、工业能源、消费电子及航空航天与国防等关键领域。目前，该工厂已完成了最先进的加工和自动化设备的扩建。

据了解，2024年5月，Polar宣布启动5.25亿美元（约合人民币38亿元）的明尼苏达州制造基地扩建计划。扩建完成后，Polar的8英寸晶圆月产能将从2万片提升至近4万片，增幅达100%。

瑞萨电子电源产品集团高级副总裁兼总经理Chris Allexandre说：“我们很高兴与Polar合作，将我们经过验证的氮化镓技术扩展到200毫米晶圆，并在广泛的电源转换市场中利用我们的专业知识，从基础设施和人工智能到能源和工业到电动汽车和电动汽车到高价值物联网。”