助力RISC－V架构全面落地，村田携先进封装与电容方案亮相2025 Andes RISC－V CON

近日，村田中国（以下简称“村田”）亮相2025 Andes RISC-V CON北京站，集中展示了面向RISC-V架构的一系列核心技术成果与产品布局，旨在推动下一代智能系统的发展。本届展会聚焦AI、车用电子及应用处理器与信息安全等领域的最新发展，吸引了来自中国各地近 200 位产业领袖、技术专家与开发者参与。

当前，人工智能与车用电子应用场景不断扩展，传统处理器在功耗、性能及安全性方面面临诸多挑战。RISC-V 凭借其灵活、可扩展的开放架构，正帮助企业突破技术瓶颈，加速实现多样化的创新应用。据The SHD Group预测，到2030年，基于RISC-V架构的SoC出货量将达162亿颗，市场营收预估达920亿美元。

作为全球居先的电子元器件制造商，村田始终致力于通过高性能的封装电容解决方案，助力RISC-V系统在AI服务器、边缘计算和车载电子等应用中实现更优的电源分配网络（PDN）设计与电磁兼容性（EMC），强化芯片供电稳定性与系统可靠性。

高性能硅电容：为AI与车载系统提供稳定电源支持

随着自动驾驶与AI服务器对算力需求的持续攀升，系统对电源滤波和去耦电容的性能提出更高要求。村田在展会中重点展示了硅电容与硅集成器件系列产品。该类产品凭借其小型化、低等效串联电感（ESL）以及高可靠性的电源支持能力，在AI与汽车系统的不同应用中展现出高度的适配性。村田硅电容采用先进的3D纳米多孔结构与高密度堆叠技术，在小于50μm的超薄厚度内实现高达1.3μF/mm³的容值密度，并显著降低ESL，可有效抑制高频噪声与瞬时电源尖峰，提升系统的电源完整性。

此外，村田硅电容可在高达250°C的工作环境以及450V高压环境下稳定运行，同时在110GHz的高频应用中依旧保持优异的信号稳定性。这些特性使其相比传统方案更适合部署于芯片近端、高密度封装区域或其他空间受限的应用场景，能够更好地支持AI芯片在高负载算力下的瞬时供电响应。该系列产品也广泛应用于车载激光雷达（LiDAR）等关键感知模块中，为激光驱动与信号采集系统提供低噪稳定的去耦支持，全面增强系统运行的可靠性与能效。

先进封装方案：优化电源分配网络设计

在AI服务器与车载系统持续迈向更高计算密度与能效比的背景下，芯片封装内部的电源分配网络设计变得尤为关键。针对这一趋势，村田持续创新贴装与封装电容布局技术，推出多种适配于芯片不同位置的先进封装方案。

本次展出的解决方案包括嵌入式安装与倒装焊封装等，可广泛适用于AI服务器、数据中心主板及车载自动驾驶系统。这些方案可实现更贴近芯片核心区域的电容布置，缩短供电路径，有效降低电源分配网络阻抗与功耗，同时抑制瞬时电压下压（V droop）现象，进而提升供电稳定性与响应速度。

全方位技术支持：从本地实验室到数字服务平台

村田不仅提供电子元器件产品，更是客户设计阶段的协同工程伙伴。村田在北京、上海、深圳、台北等亚洲主要城市设立了本地电磁兼容性（EMC）应用实验室与技术支持体系，贯穿客户项目的全流程，支持其在RISC-V平台开发过程中完成电磁兼容性、电源完整性等关键性能评估与优化，为AI、汽车电子等创新应用提供一站式解决方案与协同服务。

此外，村田已将产品支持服务从线下拓展至线上，客户可随时随地访问全套设计工具与技术支持资源，构建了高效便捷的数字服务闭环，为系统优化与开发效率提升提供全面支撑。

未来，村田将继续发挥技术优势，持续为产业生态注入创新动能，与客户共同探索电子技术的更多可能性。